HSBG2103 دیتاشیت

HSBG2103

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBG2103
حجم فایل 62.323 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSBG2103

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBG2103
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 650mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 520mΩ@4.5V,650mA
  • Package: DFN-3(0.6x1)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه